La barrette Samsung M321RYGA0PB0-CWMKH est un module RDIMM DDR5-5600 ECC Registered de 96 Go destiné aux serveurs et stations de travail compatibles. Ce module 288 broches, 2Rx4, fonctionne sous 1,1 V et prend en charge des taux de transfert de données jusqu'à 5 600 MT/s pour la virtualisation, les bases de données, l'infrastructure cloud et l'informatique d'entreprise. La mémoire ECC Registered garantit l'intégrité des données et un fonctionnement fiable même sous charges de travail soutenues. Sa conception double rang haute capacité est idéale pour les applications gourmandes en mémoire nécessitant une mémoire serveur DDR5 évolutive. La vitesse de fonctionnement réelle dépend du processeur et de la configuration système. Avant tout achat ou installation, veuillez vérifier la compatibilité avec votre plateforme, les exigences du BIOS et les règles d'installation de la mémoire.
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Original Brand: 1-Year Warranty; OEM/Compatible Solutions: 3-Year Warranty.La barrette Samsung M321RYGA0PB0-CWMKH est une barrette DIMM ECC Registered de 96 Go DDR5-5600 haute capacité, conçue pour les serveurs d'entreprise et les charges de travail des centres de données compatibles. Basée sur l'architecture DDR5 SDRAM, elle prend en charge des taux de transfert de données jusqu'à 5 600 MT/s pour les calculs intensifs en mémoire. La technologie ECC (Error-Correcting Code) garantit l'intégrité des données, tandis que la conception Registered met en mémoire tampon les signaux de commande et de contrôle pour un fonctionnement stable. Avec une configuration double rang 2Rx4, un format RDIMM à 288 broches et une tension de fonctionnement de 1,1 V, elle est idéale pour la virtualisation, les bases de données, le cloud computing et les environnements serveurs HPC et IA compatibles. La vitesse de fonctionnement réelle dépend du processeur et de la configuration mémoire. Avant tout achat ou installation, veuillez vérifier la compatibilité avec votre plateforme, la configuration requise du BIOS et les règles d'installation de la mémoire.
Prend en charge les bases de données volumineuses, la virtualisation, les charges de travail d'IA et les applications d'entreprise avec des performances multitâches améliorées.
Offre des débits de transfert allant jusqu'à 5600 MT/s, assurant une bande passante accrue et une réactivité système plus rapide.
La technologie ECC détecte et corrige automatiquement les erreurs de mémoire, garantissant ainsi un fonctionnement stable et fiable du serveur.
La conception RDIMM 2Rx4 à 288 broches prend en charge les dernières plateformes de serveurs Intel Xeon et AMD EPYC.
Fonctionne à seulement 1,1 V, réduisant ainsi la consommation d'énergie et la production de chaleur tout en maintenant des performances élevées.
Équiper l'infrastructure hyperscale de la densité nécessaire à l'hébergement mutualisé intensif.
Débloquer des taux de consolidation de machines virtuelles extrêmes sur un seul hôte physique.
Accélération du traitement des transactions et réduction de la latence pour les ensembles de données massifs en mémoire.
Alimentation directe des nœuds de calcul avec des données à haut débit pour accélérer les tâches d'apprentissage automatique et d'apprentissage profond.
Faire progresser la recherche scientifique de pointe, le séquençage génomique et la modélisation financière.
Des baies de serveurs à l'épreuve du temps grâce à une densité de mémoire et une efficacité thermique de nouvelle génération.
Protection des opérations financières et de santé vitales grâce à une tolérance aux pannes ECC rigoureuse.
Renforcer l'infrastructure de traitement centrale des réseaux d'entreprise à grande échelle.
| Spécification | Détails |
|---|---|
| Fabricant | SAMSUNG |
| Numéro de pièce | M321RYGA0PB0-CWMKH |
| Capacité de mémoire | 96 Go |
| Technologie de mémoire | DDR5 |
| Type de module | Module DIMM enregistré ECC (RDIMM) |
| Facteur de forme | DIMM 288 broches |
| Débit de données | 5600 MT/s |
| Configuration des rangs | 2Rx4 |
| Tension de fonctionnement | 1,1 V |
| Correction d'erreurs | ECC (Code de correction d'erreurs) |
| Organisation de la mémoire | Dispositifs DRAM x4 |
| Hauteur nominale du module | Profil RDIMM standard |
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